Graphit lösungen für die Innovationen von morgen
SIC beschichtete Graphit schalen Werden im Allgemeinen aus hochreinem Graphit als Matrix hergestellt und bieten SIC-Beschichtung mit extrem hoher Reinheit und theoretischer Dichte durch CVD (chemische Gasphase abscheidung). Die CVD SIC-Beschichtung ist sehr hart und kann auf eine spiegel artige Oberfläche poliert werden. Außerdem hat es ultra hohe Reinheit und extrem hohe Verschleiß festigkeit. Da die beschichteten Produkte eine hervorragende Leistung in Hochvakuum-und Hoch temperatur umgebungen aufweisen, sind SIC-beschichtete Graphit schalen sehr gut für die Halbleiter industrie und andere ultra-saubere Umgebungen geeignet. Sie werden haupt sächlich als Substrat bei der Bildung von Epitaxie schichten auf Halbleiter wafern verwendet.
| Projekte | Parameter |
|---|---|
| Offen sichtliche Dichte | 1,85g/cm3 |
| Elektrischer Widerstand | 11 μΩm |
| Flexural Strenth | 49 MPa (500 kgf/cm2) |
| Shore-Härte | 58 |
| Asche | < 5 ppm |
| Wärme leitfähig keit | 100 KCal/cm.h.°C |
Anmerkungen:
|
|
Die mit SIC beschichtete Graphit schale wird als Basis zum Fixieren und Erhitzen von Halbleiter wafern während der Wärme behandlung verwendet. Energie kann den Chip durch Induktion, Leitung oder Strahlung absorbiert und erwärmt werden. Seine Wärme schock beständigkeit, Wärme leitfähig keit und Reinheit sind für eine schnelle thermische Verarbeitung (RTP) unerlässlich. Beim Silizium epitaxie prozess wird der Wafer auf einer Basis getragen, und die Leistung und Qualität der Basis haben einen entscheidenden Einfluss auf die Qualität der Epitaxie schicht des Wafers.
