La SIC cubrió la pureza ultra elevada de la bandeja – del grafito y desgaste-resistente

  • Alta pureza, buena resistencia al desgaste
  • Alta conductividad eléctrica y térmica, resistencia a la corrosión.
  • Excelente resistencia al choque térmico y buena maquinabilidad.
  • Puede ser utilizado en atmósferas oxidantes.
A SIC coated graphite tray at a light color background.
Descripción

Bandejas de grafito recubiertas de SIC Generalmente están hechos de grafito de alta pureza como matriz, y proporcionan recubrimiento SIC con una pureza extremadamente alta y densidad teórica a través de CVD (deposición química de vapor). El recubrimiento de CVD SIC es muy duro y se puede pulir a una superficie similar a un espejo. Además, tiene una pureza ultra alta y una resistencia al desgaste extremadamente alta. Como los productos recubiertos tienen un excelente rendimiento en entornos de alto vacío y alta temperatura, las bandejas de grafito recubiertas de SIC son muy adecuadas para la industria de semiconductores y otros entornos ultra limpios. Se utilizan principalmente como sustrato en el proceso de formación de capas epitaxiales en obleas semiconductoras.

Características
  • Ultra alta pureza
  • Excelente resistencia al choque térmico
  • Excelente resistencia al impacto físico
  • Maquinabilidad para formas complejas
  • Excelente estabilidad química
  • Puede ser utilizado en atmósferas oxidantes.
Especificaciones
Tabla 1: Especificaciones de la bandeja de grafito recubierto SIC
Proyectos Parámetro
Densidad aparente 1,85 g/cm3
Resistividad eléctrica 11 μΩm
Strenth flexural 49 MPa (500 kgf/cm)2)
Dureza Shore 58
Ceniza < 5 ppm
Conductividad térmica 100 KCal/cm.h.°C
Notas:
  • 1 MPa = 10,2 kgf/cm2; 1 W/m.k = 0,86 KCal/cm.h.°C
  • Estas propiedades son valores típicos y no están garantizados.
Introducción de la aplicación: Bandeja de grafito recubierta SIC

La bandeja de grafito recubierta de SIC se utiliza como base para fijar y calentar obleas semiconductoras durante el tratamiento térmico. La energía puede ser absorbida y calentar el chip a través de inducción, conducción o radiación, y su resistencia al choque térmico, conductividad térmica y pureza son esenciales para el procesamiento térmico rápido (RTP). En el proceso de epitaxia de silicio, la oblea se lleva en una base, y el rendimiento y la calidad de la base tienen un efecto crucial en la calidad de la capa epitaxial de la oblea.

The structure of SIC coated graphite tray application device